京都工芸繊維大学 Webシラバス / Web Syllabus KYOTO INSTITUTE OF TECHNOLOGY シラバス詳細

科目詳細情報 / Course Syllabus

科目分類 / Subject Categories
学部等 / Faculty	大学院工芸科学研究科（博士前期課程） / Graduate School of Science and Technology (Master's Programs)	今年度開講 / Availability	有 / Available
学域等 / Field	設計工学域 / Academic Field of Engineering Design	年次 / Year	２年次 / 2nd Year
課程等 / Program	電子システム工学専攻 / Master's Program of Electronics	学期 / Semester	第3ｸｫｰﾀ / Third quarter
分類 / Category	授業科目 / Courses	曜日時限 / Day & Period	金3 / Fri 3rd

科目情報 / Course Information
時間割番号 / Timetable Number	62115301
科目番号 / Course Number	62160058
単位数 / Credits	2
授業形態 / Course Type	講義 / Lecture
授業科目名 / Course Title	半導体加工・評価技術 / Fabrication and evaluation technique for semiconductor materials
担当教員名 Instructor(s)	高橋　駿
担当教員名 Instructor(s)	TAKAHASHI Shun
その他 / Other	インターンシップ実施科目 Internship	国際科学技術コース提供科目 IGP	PBL実施科目 Project Based Learning	実務経験のある教員による科目 Practical Teacher
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	DX活用科目 ICT Usage in Learning	-	-	-
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科目ナンバリング / Numbering Code	M_AR6422

授業の目的・概要 Objectives and Outline of the Course
半導体加工技術および評価技術について、学生が主体的に専門書や学術論文を調査し、プレゼンテーションを行うことで、理解を深めることを目的とする。
To deeply understand fabrication and evaluation technique for semiconductor materials, students investigate technological treatises and academic papers by themselves, and give presentations about the technique.

学習の到達目標 Learning Objectives
1．分子線エピタキシ―法や有機金属気相成長法などを理解する 2．フォトリソグラフィーや電子線リソグラフィーなどを理解する 3．溶液によるウェットエッチングやガスによるドライエッチングなどを理解する 4．電極に適した金属材料とその蒸着方法などを理解する 5．光学顕微鏡や走査型電子線顕微鏡などを理解する 6．フォトルミネッセンス測定やロックインアンプ測定などを理解する 7．ホール測定や太陽電池評価方法などを理解する 8．クリーンルームの意義とその利用ルールなどを理解する
1．Learn about molecular beam epitaxy or metal-organic chemical vaper deposition 2．Learn about photo-lithography or electron beam lithography 3．Learn about wet etching and dry etching 4．Learn about selection of metal materials and their deposition technique 5．Learn about optical microscope or scanning electron microscope 6．Learn about photoluminescence or lock-in measurement technique 7．Learn about Hall measurement or solar cell evaluation 8．Learn about clean rooms and their rules

学習の到達目標
Learning Objectives

1．分子線エピタキシ―法や有機金属気相成長法などを理解する
2．フォトリソグラフィーや電子線リソグラフィーなどを理解する
3．溶液によるウェットエッチングやガスによるドライエッチングなどを理解する
4．電極に適した金属材料とその蒸着方法などを理解する
5．光学顕微鏡や走査型電子線顕微鏡などを理解する
6．フォトルミネッセンス測定やロックインアンプ測定などを理解する
7．ホール測定や太陽電池評価方法などを理解する
8．クリーンルームの意義とその利用ルールなどを理解する

1．Learn about molecular beam epitaxy or metal-organic chemical vaper deposition
2．Learn about photo-lithography or electron beam lithography
3．Learn about wet etching and dry etching
4．Learn about selection of metal materials and their deposition technique
5．Learn about optical microscope or scanning electron microscope
6．Learn about photoluminescence or lock-in measurement technique
7．Learn about Hall measurement or solar cell evaluation
8．Learn about clean rooms and their rules

授業計画項目 / Course Plan
No.	項目 Topics	内容 Content	オンライン授業 online class
1.	半導体成膜技術	分子線エピタキシ―法や有機金属気相成長法など
1.	Epitaxial growth of semiconductor	Molecular beam epitaxy or metal-organic chemical vaper deposition
2.	半導体リソグラフィー技術	フォトリソグラフィーや電子線リソグラフィーなど
2.	Lithography technique	Photo-lithography or electron beam lithography
3.	半導体エッチング技術	溶液によるウェットエッチングやガスによるドライエッチングなど
3.	Etching technique	Wet etching and dry etching
4.	電極形成技術	電極に適した金属材料とその蒸着方法など
4.	Electrode formation	Selection of metal materials and their deposition technique
5.	ナノ構造観察技術	光学顕微鏡や走査型電子線顕微鏡など
5.	Observation technique for nano-structures	Optical microscope or scanning electron microscope
6.	光学的評価技術	フォトルミネッセンス測定やロックインアンプ測定など
6.	Optical evaluation technique	Photoluminescence or lock-in measurement technique
7.	電気的測定技術	ホール測定や太陽電池評価方法など
7.	Electric evaluation technique	Hall measurement or solar cell evaluation
8.	クリーンルーム	クリーンルームの意義やその利用方法など
8.	Clean room	Clean rooms and their rules
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授業時間外学習（予習・復習等） Required study time, Preparation and review
数名からなるグループを5-7つ作成し、各グループで希望するトピックについて、専門書に基づく解説およびその技術を使用した最新の学術論文の紹介を30分ずつ行う。本講義全体をとおして、各学生の発表は1度のみとする。発表がない学生については、各グループで少なくとも1名が当日の発表に対して質問を行うこと。グループ分けは初回に実施する。必要に応じて、実際の装置の見学を行う。本学では1単位当たりの学修時間を45時間としています。毎回の授業にあわせて事前学修・事後学修を行ってください。
5-7 groups containing a few students are formed in the first lecture. Each group selects a topic of the fabrication and evaluation technique for semiconductor materials, and gives two presentations for the principle of the technique and the recent academic paper using the technique. Each presentation time is 30 min. If required, we look around the equipment in our clean room. Please note that KIT requires 45 hours of study from students to award one credit, including both in-class instructions as well as study outside classes. Students are required to prepare for each class and complete the review after each class.

授業時間外学習（予習・復習等）
Required study time, Preparation and review

数名からなるグループを5-7つ作成し、各グループで希望するトピックについて、専門書に基づく解説およびその技術を使用した最新の学術論文の紹介を30分ずつ行う。
本講義全体をとおして、各学生の発表は1度のみとする。
発表がない学生については、各グループで少なくとも1名が当日の発表に対して質問を行うこと。
グループ分けは初回に実施する。
必要に応じて、実際の装置の見学を行う。
本学では1単位当たりの学修時間を45時間としています。毎回の授業にあわせて事前学修・事後学修を行ってください。

5-7 groups containing a few students are formed in the first lecture.
Each group selects a topic of the fabrication and evaluation technique for semiconductor materials, and gives two presentations for the principle of the technique and the recent academic paper using the technique.
Each presentation time is 30 min.
If required, we look around the equipment in our clean room.

Please note that KIT requires 45 hours of study from students to award one credit, including both in-class instructions as well as study outside classes. Students are required to prepare for each class and complete the review after each class.

教科書／参考書 Textbooks/Reference Books
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成績評価の方法及び基準 Grading Policy
各学生が1度行う発表の内容（30%）と、発表方法（20%）、質問対応（20%）で、その技術の理解度を評価する。また、グループとしての出席評価として、各グループで少なくとも1名が当日の発表に対して質問を行うことで評価する（各回5%・計30%）。
Presentation contents (30%), format (20%), answers for questions of audience (20%). At least one member of each group must ask a questions to each presentation as audience (5% for each lecture, totally 30% for each group not individual).

留意事項等 Point to consider
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